小說簡介： 本書介紹了化合物半導體物理的基礎知識和原理。全書共8章，主要內(nèi)容為：半導體器件物理的基礎內(nèi)容、化合物半導體材料及其基本電學特性；化合物半導體器件的種類及其特性，包括雙極型器件、異質(zhì)結器件、場效應器件、量子效應、熱電子器件和光電子器件；寬禁帶半導體材料與器件。本書可作為高等學校微電子學，集成電路設計及相關專業(yè)研究生和本科高年級學生化合物半導體材料和器件課程的教材；也可作為從事化合物半導體材料或器件分析的科研和工程技術人員的參考。
《化合物半導體器件》是作家：呂紅亮 張玉明 張義門編著 所著的小說，化合物半導體器件免費全文閱讀為轉(zhuǎn)載作品，章節(jié)由網(wǎng)友發(fā)布。
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- 封面
- 版權信息
- 前言
- 主要參數(shù)符號表
- 第1章 緒論
- 1.1 歷史和動態(tài)
- 1.2 內(nèi)容安排和說明
- 參考文獻
- 第2章 化合物半導體材料與器件基礎
- 2.1 半導體材料的分類
- 2.1.1 元素半導體
- 2.1.2 化合物半導體
- 2.1.3 半導體固溶體
- 2.2 化合物半導體材料特性
- 2.2.1 晶格結構
- 2.2.2 晶體的化學鍵和極化
- 2.2.3 能帶結構
- 2.2.4 施主和受主能級
- 2.2.5 遷移率
- 2.3 化合物半導體器件的發(fā)展方向
- 思考題
- 參考文獻
- 第3章 半導體異質(zhì)結
- 3.1 異質(zhì)結及其能帶圖
- 3.1.1 異質(zhì)結的形成
- 3.1.2 異質(zhì)結的能帶圖
- 3.2 異型異質(zhì)結的電學特性
- 3.2.1 突變異質(zhì)結的伏安特性和注入特性
- 3.2.2 界面態(tài)的影響
- 3.2.3 異質(zhì)結的超注入現(xiàn)象
- 3.3 量子阱與二維電子氣
- 3.3.1 二維電子氣的形成及能態(tài)
- 3.3.2 二維電子氣的態(tài)密度
- 3.4 多量子阱與超晶格
- 思考題
- 參考文獻
- 第4章 異質(zhì)結雙極晶體管
- 4.1 HBT的基本結構
- 4.1.1 基本的HBT結構
- 4.1.2 突變結和組分漸變異質(zhì)結
- 4.2 HBT的增益
- 4.2.1 理想HBT的增益
- 4.2.2 考慮界面復合后HBT的增益
- 4.2.3 HBT增益與溫度的關系
- 4.3 HBT的頻率特性
- 4.3.1 最大振蕩頻率
- 4.3.2 開關時間
- 4.3.3 寬帶隙集電區(qū)
- 4.4 先進的HBT[7]
- 4.4.1 Si-SiGe HBT
- 4.4.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物基HBT
- 思考題
- 參考文獻
- 第5章 化合物半導體場效應晶體管
- 5.1 金屬半導體肖特基接觸
- 5.1.1 能帶結構
- 5.1.2 基本模型
- 5.2 金屬半導體場效應晶體管（MESFET）
- 5.2.1 MES FET器件結構
- 5.2.2 工作原理
- 5.2.3 電流 — 電壓特性
- 5.2.4 負阻效應與高場疇
- 5.2.5 高頻特性
- 5.2.6 噪聲理論
- 5.2.7 功率特性
- 5.3 調(diào)制摻雜場效應晶體管
- 5.3.1 調(diào)制摻雜結構
- 5.3.2 基本原理
- 5.3.3 電流-電壓特性
- 思考題
- 參考文獻
- 第6章 量子器件與熱電子器件
- 6.1 隧道二極管
- 6.1.1 穿透系數(shù)
- 6.1.2 電流-電壓特性
- 6.2 共振隧道二極管（Resonant Tunneling Diode，RTD）
- 6.2.1 諧振隧穿結構
- 6.2.2 諧振隧道二極管電流-電壓特性
- 6.3 熱電子器件
- 6.3.1 熱電子異質(zhì)結雙極晶體管
- 6.3.2 實空間轉(zhuǎn)移晶體管（real space transfer transistor）
- 6.3.3 隧穿熱電子晶體管
- 思考題
- 參考文獻
- 第7章 半導體光電子器件
- 7.1 半導體的光學性質(zhì)
- 7.1.1 光的本質(zhì)
- 7.1.2 輻射躍遷
- 7.1.3 光的吸收
- 7.1.4 光伏效應
- 7.2 太陽能電池
- 7.2.1 pn結光電池的電流-電壓特性
- 7.2.2 pn結光電池的等效電路
- 7.2.3 轉(zhuǎn)換效率
- 7.2.4 砷化鎵太陽能電池
- 7.2.5 Ⅱ-Ⅵ族化合物太陽能電池
- 7.2.6 銅銦硒太陽能電池
- 7.3 光電探測器件
- 7.3.1 光敏電阻
- 7.3.2 光電二極管
- 7.4 發(fā)光二極管和半導體激光器
- 7.4.1 可見光發(fā)光二極管
- 7.4.2 紅外發(fā)光二極管
- 7.4.3 半導體激光器
- 思考題
- 參考文獻
- 第8章 寬帶隙化合物半導體器件
- 8.1 寬帶隙半導體材料基本特性
- 8.2 碳化硅器件及其應用
- 8.2.1 碳化硅微波功率器件
- 8.2.2 碳化硅功率器件
- 8.2.3 碳化硅探測器件
- 8.3 GaN器件及其應用[7][8][9]
- 8.3.1 GaN微波功率器件
- 8.3.2 GaN基光電器件
- 8.3.3 其他GaN基電子器件
- 8.4 其他寬禁帶半導體器件
- 8.4.1 單光子器件
- 8.4.2 寬禁帶半導體納米結構器件
- 8.4.3 基于GaN的子帶間躍遷光開關
- 8.4.4 氮化物光催化劑
- 思考題
- 參考文獻
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