主要參數(shù)符號表
主要參數(shù)符號表
A* 有效理查遜常數(shù)
a 晶格常數(shù)
B 磁感應(yīng)強度
B 晶體管基極
C 電容
C 晶體管集電極
Cgd MESFET漏柵之間的肖特基結(jié)勢壘電容
Cgs MESFET源柵之間的肖特基結(jié)勢壘電容
D （1）電位移；（2）雙極擴散系數(shù)
D 場效應(yīng)晶體管漏極
E （1）電子能量；（2）電場強度
E 晶體管發(fā)射極
EA 受主能級
Ec 導(dǎo)帶底能量
ΔEc 異質(zhì)界面導(dǎo)帶突變量
ED 施主能級
EF 費米能級
EFm 金屬一側(cè)費米能級
EFs 半導(dǎo)體一側(cè)費米能級
Eg 禁帶寬度
Ei （1）本征費米能級；（2）禁帶中部位置
Ev 價帶頂能量
ΔEv 異質(zhì)界面導(dǎo)帶突變量
E0 真空電子靜止能量
Fmin 最小噪聲系數(shù)
fT 特征頻率
fmax 最大振蕩頻率
G （1）載流子凈產(chǎn)生率；（2）光電導(dǎo)增益因子
G 場效應(yīng)晶體管柵極
g （1）基態(tài)簡并度；（2）激光增益系數(shù)
g（E） 狀態(tài)密度
gm 跨導(dǎo)
H 磁場強度
h 普朗克常數(shù)
I （1）電流；（2）發(fā)光強度
IB 晶體管基極電流
IC 晶體管集電極電流
ID 漏極電流
IDsat 漏極飽和電流
IE 晶體管發(fā)射極電流
IF 正向電流
IL 光生電流
Ip 峰值電流
IR 反向電流
Ir 復(fù)合電流
Is 反向飽和電流
Iv 谷值電流
J 電流密度
JF 正向電流密度
Jn 電子電流密度
Jp 空穴電流密度
JR 反向電流密度
Jr 復(fù)合電流密度
Js 反向飽和電流密度
k （1）波矢量；（2）玻耳茲曼常數(shù)
LD 德拜長度
Ln 電子擴散長度
Lp 空穴擴散長度
l 平均自由程
m0 電子慣性質(zhì)量
m* 有效質(zhì)量
NA 受主濃度
Nc 導(dǎo)帶有效態(tài)密度
ND 施主濃度
Nv 價帶有效態(tài)密度
NSS 異質(zhì)界面懸掛鍵數(shù)目
n （1）電子濃度；（2）折射率；（3）理想因子
n0 平均電子濃度
Δn 非平衡電子濃度
nD 中性施主濃度
ni 本征載流子濃度
np p型電子濃度
np0 p型平衡電子濃度
ns 表面載流子濃度
Po 光學(xué)波散射概率
Ps 晶格散射概率
p （1）空穴濃度；（2）動量
p0 平衡空穴濃度
Δp 非平衡空穴濃度
pA 中性受主濃度
pn0 n型平衡空穴濃度
pp p型空穴濃度
pp0 p型平衡空穴濃度
Q （1）光生載流子產(chǎn)生率；（2）電荷面密度
QS 表面電荷面密度
q 電子電量
qVD 勢壘高度
qφB 金半接觸中金屬一側(cè)的勢壘高度
R （1）電阻；（2）反射系數(shù)；（3）符合率
Rds MESFET跨接在漏和源之間的微分電阻
Ri MESFET等效溝道電阻
s （1）截面積；（2）表面復(fù)合速度
S 場效應(yīng)晶體管柵極
T （1）溫度；（2）透射概率
t 時間
U （1）非平衡載流子復(fù)合率；（2）單向化增益
V （1）電壓；（2）電勢
VBR 擊穿電壓
VD 內(nèi)建電勢差
VDsat 場效應(yīng)晶體管飽和漏電壓
Vs 表面勢
Vp 夾斷電壓
VT 閾值電壓
vsat 飽和漂移速度
vth 電子熱運動速度
W 功函數(shù)
WB 基區(qū)寬度
WE 發(fā)射區(qū)寬度
Wm 金屬功函數(shù)
Ws 半導(dǎo)體功函數(shù)
xj pn結(jié)結(jié)深
xd 耗盡區(qū)寬度
α （1）吸收系數(shù)；（2）晶體管基區(qū)輸運系數(shù)
β （1）壓縮系數(shù)；（2）晶體管放大系數(shù)
γ （1）注入比；（2）晶體管發(fā)射結(jié)注入效率
δ E c-EF，或EF-Ev
ε 介電常數(shù)
εs 半導(dǎo)體相對介電常數(shù)
ε0 真空介電常數(shù)
μ 遷移率
μ0 低場遷移率
μI 雜質(zhì)散射所造成的遷移率
μL 晶格散射所造成的遷移率
μn 電子遷移率
μp 空穴遷移率
ρ （1）電阻率；（2）電荷體密度
ρi 本征電阻率
ρn n型電阻率
ρp p型電阻率
σ （1）電導(dǎo)率；（2）俘獲截面
σi 本征電導(dǎo)率
σn n型電導(dǎo)率
σp p型電導(dǎo)率
τ （1）平均自由時間；（2）壽命
τb 晶體管基區(qū)少子渡越時間
τc 晶體管集電結(jié)電容充電時間
τd 晶體管集電結(jié)耗盡層渡越時間
τe 晶體管發(fā)射結(jié)電容充電時間
τec 晶體管延遲時間
τn 電子壽命
τp 空穴壽命
η 效率
λ （1）波長；（2）溝道調(diào)制系數(shù)
χ 電子親和能
ω 角頻率
ψ（x） 波函數(shù)
φ（x） 功函數(shù)